Open Boundary Quad-Ridged

Open Boundary Quad-Ridged Horn Antenna Applications:

• - Low Cross-interference 
• - Antenna Measurement
• - Electromagnetic Measurement
• - Electromagnetic Compatibility Testing (EMC test)
• - Ultra-wideband Radar Detection
• - Some antennas have a compact design that makes them ideal for use with a tripod-mounted -

MoneyDJ新聞 2024-04-01 10:57:55 記者 郭妍希 報導三星電子(Samsung Electronics Co.)最近在記憶體部門成立高頻寬記憶體(HBM)團隊，希望能在開發第六代AI記憶體HBM4及AI加速器Mach-1之際提升良率。

《韓國經濟日報》29日引述業界消息報導，三星的HBM小組主要負責DRAM、NAND型快閃記憶體的研發與銷售。三星執行副總裁兼DRAM產品與科技長HwangSang-joon將負責帶領新團隊。這是三星1月啟動HBM任務團隊以來，第二個聚焦HBM的小組。三星正在加大力道，盼能超越在先進HBM領域拔得頭籌的SK海力士(SK Hynix Inc.)。三星2019年因錯誤判定市場不會顯著成長，解散了當時的HBM小組。為了爭奪AI晶片市場的領先地位，三星將追求「雙軌」策略，同時開發兩種尖端記憶體晶片：HBM和Mach-1。三星計畫今(2024)年下半量產HBM3E、2025年投產下一代HBM4。HBM3E是表現最佳的AI用DRAM，也是第五代DRAM記憶體，之前幾個世代為HBM、HBM2、HBM2E及HMB3。三星也準備研發次世代用於AI推論的加速「Mach-2」。Kyung 29日指出，三星必須加快研發Mach-2，因為客戶對此展現濃厚興趣。三星：今年的HBM產能將擴增三倍Hwang甫於3月26日在加州聖荷西(San Jose)舉行的《Memcon 2024》會議表示，預測今年三星的HBM產能有望年增2.9倍。

這高於三星稍早於2024年拉斯維加斯消費電子展(CES 2024)預測的2.4倍。三星並在會議上發表HMB技術路線圖，預測2026年HBM出貨量將比2023年高13.8倍，2028年HBM年產出將進一步比2023年多23.1倍。

三星最新HBM3E 12H晶片已開始送樣，預計今年上半就可量產。三星半導體事業部門負責人桂顯(Kyung Kye-hyun)最近才剛表示，正在開發的Mach-1已跟Naver Corp.敲定協議、預計今年底開始供應，合約金額上看1兆韓圜(7.52億美元)。

Naver希望藉由跟三星的供應協議，大幅降低對輝達(Nvidia Corp.)的依賴。

(圖片來源：三星電子)＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。

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